[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202010638792.0 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113053885A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李欣怡;陈智城;洪正隆;张文;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开了半导体器件和方法。公开了一种包括围绕功函数金属层的阻挡层的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，位于半导体衬底之上；第二沟道区域，位于第一沟道区域之上；栅极电介质层，围绕第一沟道区域和第二沟道区域；功函数金属层，围绕栅极电介质层；以及阻挡层，围绕功函数金属层，围绕第一沟道区域的第一阻挡层与围绕第二沟道区域的第二阻挡层融合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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