[发明专利]一种压接型IGBT热阻检测方法及装置在审
| 申请号： | 202010643033.3 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111751697A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈中圆;李金元;李尧圣;杨晓亮;陈艳芳;金锐 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 胡晓静 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种压接型IGBT热阻检测方法及装置，该方法包括：根据发射极散热器的进水口温度和出水口温度，以及集电极散热器的进水口温度和出水口温度，计算IGBT的发射极与集电极的散热比例；根据IGBT的电流和IGBT发射极与集电极之间的压降，确定IGBT的发热功率；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、发射极壳温及结温，确定IGBT的发射极侧热阻；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、集电极壳温及结温，确定IGBT的集电极侧热阻。无需对芯片进行直接接触，解决了无法对压接型IGBT进行热阻检测的技术问题，为判断压接型IGBT器件的可靠性奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接型 igbt 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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