[发明专利]一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法有效
| 申请号： | 202010644322.5 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111739944B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李俊;伏文辉;张志林;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法，全包围栅极突触晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述有源层为圆柱体，所述有源层外侧依次包裹所述绝缘层和所述栅电极，所述有源层的一端设置源电极，另一端设置漏电极，所述源电极和所述漏电极均为圆柱体，所述源电极和所述漏电极的底面直径均比所述有源层的底面直径小，所述有源层、所述源电极和所述漏电极同轴设置。本发明使栅极电压能够从各个方向对沟道电流进行控制，提高栅电极的控制能力，从而降低器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包围 栅极 突触 晶体管 制备 方法 电路 连接 | ||
【主权项】：
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