[发明专利]集成电路、集成器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010644595.X | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113314625B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 许峻维;洪蔡豪;林重佑;陈盈薰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/18;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 集成电路包括光电探测器。光电探测器包括位于半导体衬底中的沟槽中的一个或多个介电结构。光电探测器包括位于沟槽中并且覆盖一个或多个介电结构的光敏材料。介电结构和光敏材料的配置促进了钝化层内的光的全内反射。本发明的实施例还涉及集成器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 集成 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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