[发明专利]半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010646114.9 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN112928098A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/11568;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：接触图案，其包括垂直接触部以及在与垂直接触部交叉的方向上从垂直接触部延伸的侧壁接触部；下导电图案，其具有垂直接触部插入其中的孔；以及上导电图案，其与下导电图案的一部分交叠。上导电图案包括与侧壁接触部接触的第一侧部以及面向垂直接触部并与垂直接触部间隔开的第二侧部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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