[发明专利]包括数据存储材料图案的半导体器件在审
申请号: | 202010652460.8 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN112310147A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金永倬;朴相真;李源俊;徐慧瑛;申材旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括:位于衬底上的第一导电结构;位于所述第一导电结构上的第二导电结构;以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构,其中,所述第一存储单元结构包括:位于所述第一导电结构上的开关材料图案;位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案;以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案,其中,所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度,并且其中,所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。 | ||
搜索关键词: | 包括 数据 存储 材料 图案 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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