[发明专利]具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置在审
| 申请号： | 202010657486.1 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112242395A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 石井利尚 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置。本文中公开一种设备，其包含：第一扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第三到第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿第二方向延伸，并且设置于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间。所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 其中 共享 漏极区 晶体管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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