[发明专利]三维电容在审
| 申请号： | 202010658461.3 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111864064A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 曹寒梅 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种三维电容，属于半导体技术领域，其占用面积小，能够极大地提高芯片上面积利用率。一种三维电容，包括：衬底；位于所述衬底中的通孔；位于所述通孔的内壁和所述衬底的表面上的图形化的第一电极层，所述第一电极层包括由二维材料形成的电极层；位于所述第一电极层上的绝缘介质层；以及位于所述绝缘介质层上的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 电容 | ||
【主权项】：
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