[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲层；在衬底上定义核心区和字线连接区，在核心区的牺牲层上形成堆叠层和垂直所述堆叠层的沟道结构，其中沟道结构具有存储器层和被存储器层围绕的导电部，导电部到达所述牺牲层；形成垂直穿过堆叠层而到达牺牲层的栅线隙；去除牺牲层，露出存储器层在牺牲层的部分的侧壁，在堆叠层与衬底之间形成间隙；去除存储器层在间隙中的部分，露出导电部的至少一部分；在间隙中填充导电层，导电层接触导电部；在栅线隙中填充绝缘层；在未覆盖堆叠层的字线连接区形成导电接触；以及在衬底背面形成连接层，连接层连接衬底或导电层，且连接导电接触。