[发明专利]基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法在审
| 申请号： | 202010669196.9 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN112242335A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 林大介;三上贵弘;铃木祐辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/02;G01B11/06;G01B17/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基板悬浮型激光处理装置和悬浮高度的测量方法。根据实施例的基板悬浮型激光处理装置包括：用于将基板悬浮和运送的台架；以及用于测量基板的悬浮高度H的悬浮高度测量装置。注意，悬浮高度测量装置与基板之间的距离可以根据所测量的悬浮高度H自动调节。基板的悬浮高度H是通过向基板和台架施加激光来测量的。悬浮高度测量装置与基板之间的距离通过使用反馈机制来调节，在该反馈机制中，将所测量的基板的悬浮高度用作输入。 | ||
| 搜索关键词： | 悬浮 激光 处理 装置 高度 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
