[发明专利]一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构、浪涌保护器件和制作方法，所述半导体结构包括：第一导电类型衬底；设置在所述衬底上的第一子结构和第二子结构，第一子结构包括第二导电类型阱区，设置在第二导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第一金属电极；第二子结构包括第一导电类型阱区，设置在第一导电类型阱区上的第二导电类型注入区和第一导电类型注入区，连接第二导电类型注入区和第一导电类型注入区的第二金属电极；半导体结构响应于加载在第一金属电极的电压的极性形成晶闸管或二极管，所述晶闸管具有骤回功能。本发明提供的实施例能够实现对电子产品的浪涌保护和静电放电保护。