[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010672620.5 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN112992867A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 安庆勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/11519;H01L27/11556;H01L27/11529;H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置包括：逻辑电路，其设置在具有单元区域和单元区域外部的外围区域的基板上；源极板，其被限定在逻辑电路上方；狭缝，其将源极板分成在单元区域中的单元源极板和在外围区域中的虚设源极板；以及存储器单元阵列，其被限定在单元源极板上。虚设源极板保持在恒定电压，而与存储器单元阵列和逻辑电路的操作无关。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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