[发明专利]晶圆级封装方法在审
| 申请号： | 202010673263.4 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113937017A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 黄河;刘孟彬;向阳辉 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆级封装方法，方法包括：提供形成有多个第一芯片的第一器件晶圆，所述第一芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有裸露的且相间隔的第一互连电极和外接电极；形成覆盖所述外接电极的遮挡层；提供多个第二芯片，所述第二芯片的表面具有裸露的第二互连电极；利用键合层将所述第二芯片键合于所述第一芯片的第一表面上，所述第二互连电极和第一互连电极上下相对，围成空腔，且所述第二芯片露出所述外接电极；形成所述遮挡层后，形成填充于所述空腔中的芯片互连结构；形成所述芯片互连结构后，去除所述遮挡层。本发明在实现晶圆级封装的同时，提高封装可靠性、降低封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
