[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构在审
| 申请号： | 202010673271.9 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113937018A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 黄河;刘孟彬;向阳辉 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆级封装方法以及封装结构，方法包括：提供有多个第一芯片的晶圆，包括相对的第一表面和第二表面，第一表面有第一互连电极和外接电极；提供多个第二芯片和多个互连芯片，第二芯片表面有第二互连电极，互连芯片包括第三表面和第四表面，互连芯片中有互连结构，第三表面暴露部分互连结构；将第二芯片和互连芯片键合于第一表面上；形成第一互连凸块，用于实现第一互连电极和第二互连电极电连接，形成第二互连凸块，用于实现外接电极和互连结构电连接。本发明实现晶圆级封装，且通过互连芯片将第一芯片和第二芯片构成的芯片模块的引出端引至第一表面一侧，从而减小对晶圆的损伤，且适用于各种晶圆的系统集成，进而提高封装兼容性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
