[发明专利]用于高电压容限电路的静电保护结构在审
| 申请号： | 202010678844.7 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN112038337A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 单毅;徐文斐 | 申请（专利权）人： | 上海遨申电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 史俊军 |
| 地址： | 201303 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于高电压容限电路的静电保护结构，本发明在SCR的基础上增设共P阱第一NMOS管串和第二NMOS管串，构成了新型的静电保护结构，该静电保护结构触发电压Vt1较低，栅极不存在击穿风险，同时不存在闩锁问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 容限 电路 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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