[发明专利]太阳能电池结构及其制备方法在审
申请号: | 202010680202.0 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN111785812A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0747 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池结构及其制备方法,包括:提供基底,于基底的第一表面依次形成第一本征层和背场;对背场的预定位置进行腐蚀,以于背场内形成凹槽,凹槽沿厚度方向贯穿背场以暴露出第一本征层的表面;于凹槽内和背场表面形成发射极。上述太阳能电池结构及其制备方法,通过在基底的第一表面上依次形成第一本征层和背场,并采用腐蚀的方式在背场的预定位置处进行腐蚀形成凹槽,通过控制腐蚀速率,使得腐蚀浆料仅能腐蚀背场,并停止于第一本征层的表面,然后在凹槽内和背场表面形成发射极,从而避免了采用掩膜板沉积形成发射极和背场时由于硅片存在的公差导致的掩膜板对位不准,提高了太阳能电池结构的精度。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的