[发明专利]一种氟化钇薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010681953.4 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN113753938A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 陈如明;姜蕻;蔡勇 申请(专利权)人: 英迪那米(徐州)半导体科技有限公司
主分类号: C01F17/265 分类号: C01F17/265;C01F17/10
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 徐小淇
地址: 221600 江苏省徐*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氟化钇薄膜的制备方法,步骤1:将水合硝酸钇、氟化铵按照摩尔配比1:3.05‑1:3.75混合均匀;步骤2:将胶状物干燥得到胶态物质;步骤3:将胶态物质置于高温炉中;步骤4:胶态物质研磨得到粉末;步骤5:将粉末在惰性气体保护下得到纳米级粉末;步骤6:将纳米级粉末采取浸渍提拉法或旋转涂覆法制膜;步骤7:将湿膜烘干、冷得到薄膜;步骤8:将薄膜退火处理,随炉冷却后得到氟化钇薄膜。本发明氟化钇薄膜的制备方法与现有的技术相比,制备的氟化钇薄膜表面光滑,具有良好的超导特性,且薄膜制备成本低、工艺简单且容易控制;热处理工艺周期大大缩短,薄膜制备效率大大提高,膜层结合牢固,很难破裂。
搜索关键词: 一种 氟化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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