[发明专利]一种用于半导体器件的蚀刻方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202010687125.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113948369A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李虎子;陶世培;刘凡;杨杰;王培;池义;孙可雷;张慧 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了提供一种半导体器件的蚀刻方法，包含以下步骤：步骤一，在待蚀刻的基底上沉积氮氧化硅层；步骤二，在氮氧化硅层上形成光阻，并基于光阻对氮氧化硅层进行光刻，以在氮氧化硅层上获得具有初始关键尺寸的沟槽图案；步骤三，移除光阻，基于沟槽图案对基底进行一次蚀刻，以获得具有第一关键尺寸的一次沟槽，第一关键尺寸小于初始关键尺寸；步骤四，在一次沟槽进行回蚀刻；步骤五，对基底进行二次蚀刻，以获得具有第二关键尺寸的二次沟槽，第二关键尺寸小于第一关键尺寸。该方法工序简单并能有效减少光阻回粘缺陷。本发明同时提供一种使用上述方法制备的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体器件 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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