[发明专利]高效率QLED结构在审
申请号: | 202010692210.7 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN112289940A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;爱德华·安德鲁·伯尔德曼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光层结构,通过改变由反射电极引入的相位偏移,最大限度地增加对光发射的相长干涉。发光层结构包括第一和第二光腔,所述第一和第二光腔包括第一和第二反射电极;第一和第二部分透明电极;以及设置在第一和第二反射电极与第一和第二部分透明电极之间的第一和第二发射层(EML),其中,第一EML发射具有第一波长的光;其中,第一反射电极根据第一波长在第一EML发射的光的反射上引入第一相位偏移;其中,第二EML发射具有第二波长的光,并且第二反射电极根据第二波长在第二EML发射的光的反射上引入第二相位偏移,并且第一相位偏移与第二相位偏移不同。 | ||
搜索关键词: | 高效率 qled 结构 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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