[发明专利]一种电容结构及其制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010702164.4 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112018090A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;李相遇;金成基;李俊杰;周娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容结构及其制备方法和半导体器件。一种电容结构，包括上电极层；所述上电极层覆盖于保护膜之上，所述保护膜为等离子体氧化层和等离子体氮化层中的至少一种。本发明电容结构增加了保护膜，能防止加工过程中对电介质层等下层膜的损伤，从而避免了电流泄露，提高了电容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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