[发明专利]一种氧化铟薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010702417.8 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111969067A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张新安;尹延锋;宋国祥;魏凌;孙献文 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/34 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 张立强 |
| 地址： | 475004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于电子材料与元器件领域，具体涉及一种氧化铟薄膜晶体管及其制备方法。从下至上包括衬底、栅电极、绝缘层、氧化铟有源层、源漏电极、电子受体薄膜。所述电子受体薄膜为有机材料或无机材料，当电子受体薄膜为有机材料时，还可以在电子受体薄膜上增加氧化铝钝化层。本发明无需在氧化铟有源层中引入杂质离子，即可调控其本征电子浓度，使薄膜晶体管保持了较高的迁移率。本发明制备工艺简单、成本低廉、条件易控制、易于大面积批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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