[发明专利]保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202010707712.2 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN112300637A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 木下哲郎 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | C09D101/28 | 分类号： | C09D101/28;C09D7/63;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及保护膜形成剂、及半导体芯片的制造方法。本发明的课题在于提供在半导体晶片的切割中、用于在半导体晶片的表面形成保护膜、且能够形成吸光系数高的保护膜的保护膜形成剂、和使用该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。本发明的解决手段是在包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)和溶剂(S)的保护膜形成剂中，使用特定结构的化合物作为吸光剂(B)。保护膜形成剂中的吸光剂(B)的含量优选为0.1质量％以上且10质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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