[发明专利]一种具有电场调制区域的UMOSFET结构在审
| 申请号： | 202010708501.0 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111799333A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王颖;程有忠;曹菲;包梦恬;于成浩 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 谢秀娟 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有电场调制区域的UMOSFET结构，包括由下到上依次层叠设置的N+衬底、N‑漂移区、电流扩展层、P‑体区，P‑体区上表并列设有N+源区和P+源区；还包括沟槽，沟槽贯穿N+源区、P‑体区、电流扩展层，沟槽底部位于N‑漂移区内；沟槽下方设有P+屏蔽层，沟槽内壁设有栅极氧化膜，栅极氧化膜内部设有栅极；P‑体区下方设有电场调制区域，电场调制区域贯穿所述电流扩展层，电场调制区域底部位于N‑漂移区内；电场调制区域与沟槽之间设有间隙；电场调制区域包括内嵌有P型区的N型区。本发明具有电场调制区域的UMOSFET结构相较于传统UMOSFET结构具有更高的击穿电压和更好的正向导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电场 调制 区域 umosfet 结构 | ||
【主权项】：
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