[发明专利]半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法以及半色调掩模有效
| 申请号： | 202010710633.7 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111880368B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赤木宣纪;多田莲 | 申请（专利权）人： | 株式会社SK电子 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/32 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍志健;林明校 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供可进行极高精度的缺陷修正的半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法，以及缺陷被极高精度地修正的半色调掩模。本发明的半色调掩模的缺陷修正方法通过在半透射部3的缺陷修正对象区域5形成修正膜10，从而修正在半透射部3产生的缺陷4，包括：主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域5，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成主膜8；填补膜成膜工序，在即使通过主膜8的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域5的高透射部，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成填补膜9。 | ||
| 搜索关键词： | 色调 缺陷 修正 方法 制造 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社SK电子，未经株式会社SK电子许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010710633.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
