[发明专利]一种单晶PBN坩埚处理工艺有效
| 申请号： | 202010713136.2 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111893555B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 肖雨;王建武;沈晏山;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶PBN坩埚处理工艺，涉及半导体材料制备技术领域。本发明的一种单晶PBN坩埚处理工艺，所述处理工艺在坩埚投料和充氧烘烤之间还进行了一次清洗、预烘烤、二次清洗步骤，在所述预烘烤和二次清洗步骤之间还包括醇处理步骤，所述醇处理步骤具体为：常温下，将烘烤后的坩埚于无水甲醇中浸泡8‑16h，其中一次清洗和二次清洗的操作流程相同，均包括酸洗、碱洗、超声振洗。本发明公开了一种单晶PBN坩埚处理工艺，能够更好的去除PBN坩埚表面的杂质，提高其表面平整度，从而提高了PBN坩埚的脱模效率以及使用周期，提高了单晶成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pbn 坩埚 处理 工艺 | ||
【主权项】：
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