[发明专利]一种MMG掩模板的制作方法在审
申请号: | 202010714162.7 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111830783A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李春兰 | 申请(专利权)人: | 合肥清溢光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宫建华 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例涉及光刻技术领域,公开了一种MMG掩模板的制作方法,该方法通过制作MMG掩模板的数据;分析数据中像素间隔值,将数据中X轴方向像素间隔值相同或/和Y轴方向像素间隔值相同的panel划分为同一曝光区域;将同一曝光区域内所有panel设计到同一图层;设置每个曝光区域的曝光参数,并在设置好曝光参数后进行格式转换;投入MMG掩模板原材料,根据转换后的曝光参数,按照曝光参数,依序对每个同一图层进行曝光;之后依照常规掩模板制作流程进行生产,直至获得MMG掩模板,本发明实施例提供的MMG掩模板的制作方法,在不需要通过光刻机设备自带收费软件功能,实现了MMG掩模板的制作,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 mmg 模板 制作方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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