[发明专利]静电放电保护电路在审
申请号: | 202010715708.0 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN112397501A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 孔珉喆 | 申请(专利权)人: | 硅工厂股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种静电放电保护电路,该静电放电(ESD)保护电路包括:多个晶体管,每个晶体管包括栅极端子、漏极端子和源极端子;第一连接线,该第一连接线连接到多个晶体管的漏极端子;第二连接线,该第二连接线连接到多个晶体管的源极端子;第三连接线,该第三连接线连接到多个晶体管的栅极端子;外部电阻器,该外部电阻器连接到第三连接线;以及接地端子,该接地端子连接到外部电阻器。外部电阻器包括彼此并联连接的第一电阻器和第二电阻器。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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