[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010723210.9 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112310223A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 朴宰贤;申宪宗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一栅极图案和第二栅极图案，在基底上在第一方向上彼此分隔开，并且在第一方向上延伸；分离图案，设置在第一栅极图案与第二栅极图案之间并且与第一栅极图案和第二栅极图案直接接触，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第三栅极图案，在第二方向上与第一栅极图案分隔开，并且在第一方向上延伸；以及层间介电层，设置在第一栅极图案与第三栅极图案之间。分离图案包括与层间介电层的材料不同的材料。分离图案的底表面具有不平坦的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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