[发明专利]半导体结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010724637.0 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN113972169A 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 郑二虎;张海洋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/088
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 高静
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成掩膜层;在掩膜层的侧壁形成补偿侧墙;以掩膜层和补偿侧墙为掩膜,刻蚀基底,形成衬底以及凸出于衬底的鳍部;去除补偿侧墙;去除补偿侧墙后,在鳍部露出的衬底上形成覆盖鳍部部分侧壁的隔离层。本发明在形成鳍部后,去除补偿侧墙,随后形成隔离层,形成隔离层的制程包括在鳍部之间填充隔离材料层的步骤,通过去除补偿侧墙,使得由掩膜层、鳍部和衬底所围成的开口的顶部开口尺寸较大,因此,在沉积隔离材料层的过程中,易于使隔离材料层填充于开口的底部,降低了隔离材料层在鳍部顶部位置处发生堆积的概率,从而减小隔离材料层对鳍部的挤压力,进而改善鳍部弯曲的问题,使得半导体结构的性能得以提高。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
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