[发明专利]一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法在审
| 申请号： | 202010724996.6 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112038394A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何艳静;袁昊;汤晓燕;韩超;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，包括：在N+衬底层的上表面生长N‑漂移层；在N‑漂移层的上表面进行铝离子注入形成第一P阱和第二P阱；在第一P阱内和第二P阱内分别进行氮离子注入形成第二N+源区；在第一P阱内和第二P阱内分别进行铝离子入形成第二P+接触区；然后在此基础上生长N+纳米薄层，将N+纳米薄层进行氧化形成栅氧化层；在栅氧化层表面淀积多晶硅形成多晶硅栅；在多晶硅栅的上表面淀积第一金属形成源电极；在N+衬底层的背面淀积第二金属形成漏电极。此方法可避免能够提高阈值电压稳定性的MOSFET淀积二氧化硅时的离子注入工艺引起的阈值电压漂移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 提高 阈值 电压 稳定性 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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