[发明专利]一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件，自下而上包括漏极、SiC衬底、N‑外延层，P阱结构的上表面均设有相互紧邻的N+接触区和P+接触区，两个P阱结构之间设有JEFT区，JEFT区的上表面设有第一N型区域，第一N型区域的上表面设有栅介质层，栅介质层上方设有多晶硅介质层，N+接触区和P+接触区的上表面设有源级，源极旁设有第二N型区域，第二N型区域上面设有肖特基金属。本发明的MOSFET器件能够提升器件电流能力，提高二极管的反向耐压以及抗浪涌能力，省去一次光刻工艺步骤，提高了芯片的集成度和可靠性，另外降低了芯片的面积和制作成本。