[发明专利]一种富锂锰表面超临界辅助包覆氧化锰技术有效
申请号: | 202010732708.1 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN112357962B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 韩健峰;冀晓燕;陈瑶;许梦清 | 申请(专利权)人: | 万向一二三股份公司 |
主分类号: | C01G45/02 | 分类号: | C01G45/02;C01G53/00;H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明涉及锂离子二次电池正极材料制备技术领域,针对现有技术的包覆均匀性及包覆后导电性能差的问题,公开了一种富锂锰表面超临界辅助包覆氧化锰技术,包括如下制备步骤:(1)制备LMCN、(2)混匀球磨及(3)煅烧。本发明采用利用超临界法制备的产品粒径均匀,分散性好,纯度高,并且由于超临界流体具备优秀的流动性,将包覆剂溶解于夹带剂乙醇中反应并均匀地包覆在材料表面;氧化锰包覆能够降低正极材料的热力学平衡势,及在首次放电过程中提供锂空位,制备出来的MnO‑LMCN表现出较好的循环稳定性及倍率性能,在30 mA∙g |
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搜索关键词: | 一种 富锂锰 表面 临界 辅助 氧化锰 技术 | ||
【主权项】:
暂无信息
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