[发明专利]高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010735182.2 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN112048602A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 蔡鹏;周苗苗;王磊;姜桂君 申请(专利权)人: 信维通信(江苏)有限公司
主分类号: C21D6/00 分类号: C21D6/00;C21D1/74;C21D9/52;H01F1/00;H01F41/00
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 林栋
地址: 213000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法,高Bs纳米晶带材的制备方法包括:取纳米晶带材,所述纳米晶带材的典型成分包括FexSiyNbzBwCuv和其他微量元素,x=81‑88%、y=6.0‑8.0%、z=3.0‑5%、w=1.0‑2%、v=1.0‑2.0%,所述其它微量元素的含量为1.5‑2%,在惰性气体保护的条件下或真空条件下,依次对所述纳米晶带材进行第一次热处理、第二次热处理、保温处理和降温处理,再冷却至室温,获得高Bs纳米晶带材。本发明的制备方法可获得晶粒细小且均匀的高饱和磁感应强度的纳米晶带材,且利于大批量工业生产。
搜索关键词: bs 纳米 晶带材 屏蔽 及其 制备 方法
【主权项】:
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