[发明专利]基片处理系统在审
| 申请号： | 202010735536.3 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112349620A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 茂木卓;熊谷隆;小田岛章 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基片处理系统，其包括第1腔室、第2腔室和冷却通路。第1腔室提供用于处理基片的空间，其中该基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的。第2腔室构成为内部能够与第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通。第2腔室具有与第1腔室大致相同的占地面积。第2腔室与第1腔室在上下方向上并排地配置在第1腔室之下。冷却通路配置在第1腔室与第2腔室之间。冷却通路在其内部流动冷却介质。根据本发明，能够抑制基片处理系统的占地面积。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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