[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010737827.6 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112018076A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;金成基;白国斌;崔恒玮;王桂磊;高建峰;田光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区；与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外延生长硅层连接的多晶硅层。本发明在容易形成空洞的凹槽底部填充了选择性外延生长硅，从而实现100％消除孔洞的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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