[发明专利]一种二元钼合金溅射靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010744235.7 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111850490B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 方宏;孙虎民;宁来元;单玉郎;张雪凤 | 申请（专利权）人： | 丰联科光电（洛阳）股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F5/00;C22C27/04 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 李现艳 |
| 地址： | 471000 河南省洛阳市中国（*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种二元钼合金溅射靶材及其制备方法，溅射靶材包括以下质量份数的各组分：钼粉60~90份、铌粉5~20份、钛粉5~20份，其制备方法包括：将溅射靶材的原料混合均匀，进行胶套装粉后再进行冷等静压成型，得到坯体；将得到的坯体包套，进行热等静压作业，得到烧结坯；将得到的烧结坯进行加热，然后进行热轧、校平，最后进行退火，得到二元钼合金板坯；将得到的板坯根据所需进行磨削等机加工，得到最终所需产品；本专利生产出的二元钼合金溅射靶材可以用于制作在TFT‑LCD制程中与铜膜层配套使用的过渡层材料，并且通过调节合适的二元组分，提高过渡层与铜膜层的物化性能的匹配性，改善TFT制程中出现的不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二元 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰联科光电（洛阳）股份有限公司，未经丰联科光电（洛阳）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010744235.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
