[发明专利]晶体硅片腐蚀速率测试方法在审
| 申请号： | 202010744349.1 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112038247A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 孙凤霞;刘崇伦 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/677;H02S50/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种晶体硅片腐蚀速率测试方法，属于硅片测试技术领域，包括将待腐蚀的硅片称重，记录硅片腐蚀前的重量W |
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| 搜索关键词： | 晶体 硅片 腐蚀 速率 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
