[发明专利]一种存内计算单元及阵列有效
| 申请号： | 202010749705.9 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111816233B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;李润成;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413;G11C11/416 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王立普 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存内计算单元及阵列，所述存内计算单元包括：用于存储权值的电阻型sram存储单元、用于读写解耦的外围电路和用于进行乘加运算的MAV模块。本发明采用电阻型的sram存储单元代替6Tsram存储单元应用在存内计算阵列中可以降低布线的复杂度，采用外围电路实现读写操作的解耦，通过解耦合，将输入和输出端口分离，避免了6Tsram存储单元由于多个WL(字线)激活同一列上的多个单元可能会意外造成BL(位线)的放电，进入“假写”的状态，造成存储内部的数据错误。而且本发明还设置了用于进行乘加运算的MAV模块，可以通过电压累计的方式进行乘加运算，可以同时进行多位的运算，而不需要额外的外围电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 计算 单元 阵列 | ||
【主权项】：
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