[发明专利]屏蔽栅功率器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010753001.9 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111681962B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 罗志永;刘宇;余长敏;陈莉芬 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅功率器及其制造方法。本发明的屏蔽栅功率器的制造方法中，对第一初始介质层执行第一刻蚀工艺时，还会对第一缺口进行刻蚀而形成第二缺口，相当于通过第一刻蚀工艺对第一缺口进行了修正，使得修正后形成的第二缺口的开口对应的所述第二平面相较于第一缺口的开口对应的第一平面更平，进而在后续继续刻蚀第一初始介质层之前在外延层顶表面形成第二掩模层时，掩模材料通过更平的第二平面填入第二缺口时，更容易填充且填充更充实。从而防止了在刻蚀第一初始介质层形成第一介质层时出现朝向第一初始介质层中心倾蚀严重的现象，避免所形成的第一介质层的局部过薄或缺失等问题，进而在后续形成栅多晶硅后，可确保栅多晶硅与屏蔽栅之间的有效隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 功率 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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