[发明专利]钝化层的处理方法和设备有效
| 申请号： | 202010756248.6 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111696861B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张宇;吴长明;冯大贵;欧少敏;王玉新;蒋志伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种钝化层的处理方法和设备，该方法包括：提供一晶圆，晶圆上形成有钝化层；对晶圆上的钝化层进行灰化处理以提高钝化层的疏水性，灰化处理的反应气体包括氧气和氮气；对灰化处理后的钝化层进行湿法剥离处理。本申请通过使用包含氧气和氮气的反应气体对晶圆上的钝化层进行灰化处理以提高钝化层的疏水性，因此降低了表面钝化层的减薄速度，解决了相关技术中对钝化层进行处理由于使钝化层损失较多所导致的钝化层的保护效果较差的问题，提高了器件的稳定性和制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
