[发明专利]一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法在审
| 申请号： | 202010757912.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111993287A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 杨炜;贺贤汉;汤高;蒋立峰 | 申请（专利权）人： | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | B24C1/08 | 分类号： | B24C1/08;B24C7/00;B24B27/033;B08B3/12;F26B21/00 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，包括步骤：A、树脂砂喷砂：将待再生阳极氧化部件的气孔和接口保护后，用重力喷砂枪和树脂砂对部件进行喷砂去膜，压力设定1.5‑2.5kg/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 用干刻 设备 阳极 氧化 部件 再生 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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