[发明专利]一种SiC纳米粉体颗粒的制备方法有效
申请号: | 202010758154.2 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111825093B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 王志江 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C01B32/977 | 分类号: | C01B32/977;C04B35/565;C04B35/626;B82Y40/00 |
代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种SiC纳米粉体颗粒的制备方法,它属于碳化硅制备、陶瓷粉体、纳米材料制备技术领域,它要解决现有碳化硅粉体的制备存在产率低、粒径分布不均匀和纯度较低的问题。方法:一、大分子多糖胶体溶液的制备;二、反应前驱体干凝胶粉体的制备;三、纳米SiC颗粒初产物的制备;四、纳米SiC粉体颗粒的调控制备;五、除杂,即完成SiC纳米粉体颗粒的制备。本发明中根据反应物的比例以及形状调节剂的添加量可以调控生成SiC颗粒的尺寸;本发明制备的SiC纳米粉体颗粒的具有纳米尺度且粒度均匀、纯度高、产率高,可批量工业化生产的优点。本发明应用于SiC纳米粉体颗粒的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic 纳米 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】:
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