[发明专利]制备大面积不同层数二维二硒化钼薄膜的方法和应用有效
| 申请号： | 202010760393.1 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111960388B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 印寿根;闫慧;于童 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大面积不同层数二维二硒化钼薄膜的方法和应用，方法包括以下步骤：将三氧化钼和氯化钠混合均匀，得到混合粉末，在炉体内，将单面抛光的二氧化硅基片设置在混合粉末的上方且二氧化硅基片的抛光面朝下，将硒粉置于炉体中，在惰性气体下对硒粉和混合粉末分别进行加热10～15min，冷却至室温，在二氧化硅基片表面得到不同层数的二维二硒化钼薄膜，本发明通过化学气相沉积法制备高质量的单层或多层二硒化钼薄膜。本发明的方法简单、快速、清洁、成本低，可控制等优点，制备出的二维二硒化钼薄膜面积较大，多层尺寸约为5cm，单层尺寸长可达3mm，并且有很高的结晶质量以及很好的连续性和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大面积 不同 层数 二维 二硒化钼 薄膜 方法 应用 | ||
【主权项】：
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