[发明专利]氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法有效
| 申请号： | 202010761593.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111929990B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 金成昱;金帅炯;梁贤石;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法，该防硫酸铵系统包括：薄膜，设置于掩模版的掩模底面上，与所述掩模底面围成一密闭空间，所述密闭空间包围所述掩模版的胶片；氢离子捕捉器，通过两条管道分别与所述密闭空间的两侧相连通；该氢离子捕捉器包括：壳体、设置在所述壳体内的电解质容器、水合凝胶层、电极、供电模块和水收集器。本申请的防硫酸铵系统，能够通过氢离子捕捉器去除空气中的氢离子，向薄膜与掩模版所围成的密闭空间内输入过滤掉氢离子的空气，通过空气将胶片在曝光时产生的氨排出，从而防止有害硫酸铵的生成，避免产生硫酸铵附着在胶片上的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 氢离子 捕捉 硫酸铵 系统 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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