[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010762870.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114068497A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 呼翔 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成晶体管的器件区和用于形成电阻结构的电阻区；在所述基底上形成栅极，平行于所述基底且沿栅极延伸的方向为纵向，与所述纵向垂直的方向为横向；在所述栅极露出的基底中形成半导体层，位于所述器件区的半导体层用于形成源漏掺杂层，沿所述纵向位于所述电阻区的相邻半导体层相接触，用于形成电阻结构。本发明实施例有利于改善中段RC(电阻电容)延迟问题，优化了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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