[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010762886.9 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114068706A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 王立娜;汤陈龙 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有初始沟道叠层，所述初始沟道叠层的延伸方向为第一方向；形成横跨所述初始沟道叠层的伪栅结构，所述伪栅结构包括沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸的顶部结构和沿所述第一方向的尺寸为第二尺寸的底部结构，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，所述伪栅结构覆盖部分初始沟道叠层的侧壁和顶部；去除所述伪栅结构两侧的初始沟道叠层，形成目标沟道叠层；在所述伪栅结构两侧形成掺杂结构，所述掺杂结构与所述目标沟道叠层中的沟道层相接；在所述伪栅结构两侧形成掺杂结构之后，在所述伪栅结构和所述目标沟道叠层中的牺牲层占据的空间内形成栅极结构，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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