[发明专利]半导体结构的制作方法在审
申请号: | 202010762889.2 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN114068707A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 陈建;涂武涛;王彦;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体结构的制作方法,制作方法包括:提供基底,所述基底包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部,所述基底包括相邻的器件区和隔离区,所述衬底上形成有金属栅极结构,所述金属栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁,所述金属栅极结构露出的所述衬底上形成有层间介质层,所述层间介质层覆盖所述金属栅极结构的侧壁;进行干法刻蚀处理,依次刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构以及位于所述金属栅极结构下方的所述鳍部,形成由所述层间介质层和剩余的所述基底围成的隔离槽;在所述隔离槽中形成隔离结构,从而简化形成所述隔离结构的工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
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