[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010762890.5 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114068396A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;肖杏宇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，子器件区的基底上形成有多个叠层结构，第二方向垂直于第一方向，沿第一方向叠层结构之间形成有覆盖叠层结构侧壁的介电墙；形成横跨叠层结构和介电墙的伪栅；在子器件区的伪栅两侧的叠层结构中形成凹槽，露出介电墙的侧壁；沿第一方向，对凹槽露出的介电墙的侧壁进行减薄处理；在减薄处理后，在凹槽中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层与介电墙的侧壁之间具有间隔；在形成所有子器件区的源漏掺杂层之后，形成覆盖源漏掺杂层的顶面和侧壁，且填充于源漏掺杂层与介电墙之间的接触孔插塞。本发明实施例有利于减小接触孔插塞与源漏掺杂层之间的接触电阻，进而有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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