[发明专利]半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010762891.X | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114068708A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张全良;刘丽丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底的衬底内形成有相邻接的阱区和漂移区，阱区和漂移区交界处的衬底上形成有栅极结构，且漂移区的衬底上形成有伪栅极结构；在伪栅极结构远离栅极结构的一侧的漂移区内形成漏区，伪栅极结构和漏区在垂直于衬底的方向上的投影相交或部分重叠；形成隔离层，隔离层至少位于栅极结构和伪栅极结构之间且分别与栅极结构和伪栅极结构相接触，位于栅极结构和伪栅极结构之间的隔离层的厚度小于伪栅极结构的厚度；在隔离层上形成导电结构，导电结构至少覆盖伪栅极结构和栅极结构相邻的侧壁。从而在不需要增加工艺流程的基础上，提高半导体结构的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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