[发明专利]一种半导体表面处理方法在审
| 申请号： | 202010765273.0 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114059026A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 何际福 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种半导体表面处理方法，包括：对半导体表面进行预清洗；将半导体放置于浓度为5％的硫酸溶液中清洗5min；将半导体放置于温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗20min～30min，并烘干；将半导体放入真空溅射炉中，采用溅射方式在半导体衬底的表面镀上铝，并在温度为350℃、氮气流量为8.5L/min的条件下进行硅铝合金处理，相应形成第一合金层；抽真空至真空度为9Pa～10 |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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